FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

FPİ HAQQINDA

XƏBƏRLƏR

STRUKTUR

TƏDQİQAT İSTİQAMƏTLƏR

KONFRANSLAR

MARAQLI MƏLUMATLAR

ƏLAQƏ


Arif A. Ağasiyev

Baş elmi işçi, Fizika Problemləri İnstitutu,

Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi

İş telefonu: 439 06 93

e-mail: [email protected]

QISA BİOQRAFİK MƏLUMAT

  • 1941-cı il sentyabrın 19-da Xudat rayonu Seyidli kəndində anadan olmuşam.
  • 1959-cı ildə orta məktəbini bitirmişəm.

TƏHSİLİ, ELMİ DƏRƏCƏSİ VƏ ELMİ ADLARI

  • 1965-1968: Fizika fakültəsi, Bakı Dövlət Universiteti, tələbə
  • 1973: f.-r.e.n., Yarımkeçiricilər fizikası, Fizika fakültəsi,Bakı Dövlət Universiteti
  • 1995: f.-r.e.d., Bərk cisilər fizikası, mövzu «Mürəkkəb metallooksid nazik təbəqələrin formalaşması və elektrofiziki xassələri», Fizika fakültəsi, BDU

 

ƏMƏK FƏALİYYƏTİ

  • 2005: baş elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi, Fizika Problemləri İnstitutu, BDU
  • 1992-2005: baş elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU
  • 1987-1992: aparıcı elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU
  • 1982-1987:böyük elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU
  • 1979-1982:müəllim, Neft və Qaz İnstitutu, Əlcəzair
  • 1969-1973:kiçik elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU
  • 1968-1969: mühəndis, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU

 

TƏDQİQAT SAHƏSİ

Sabit cərəyanlı maqnetron sistemli ion tozlandırma metodu ilə mürəkkəb metallooksid nazik təbəqələrin alınması..

BEYNƏLXALQ SEMİNAR, SİMPOZİUM VƏ KONFRANSLARDA İŞTİRAKI

  • XIIInternational Conference on Solid State, Cairo, Egypt, June 2-5, 1989.
  • III All-Union Conference on Physico-Chemical Basis of Ferroelectric and Related Materials Technology. Moscow, October 24-28, 1988.
  • XII European Conference on Studying the Surface, Stockholm, Sweden, September 9-12, 1991.
  • I All-Union Symposium "Electron Diffraction Methods in Studying the Substance Structure". Moscow, 1991.
  • V Republican Scientific Conference. Baku, October 22-24, 1992.
  • I осс симп. Методы дифракции электронов в исследовании структуры веществ, Звенигород, 1991
  • Тез. докл. III Всесоюз. конф. материаловед. Халькогенидных пол.-ков, Черновцы, 1991, с.223
  • Sallite konf. Of the XXX annual meeting of the euor plan High Pres Res Group Phys of Multicom ponent Semicond, 12 October, 1992
  • Türk Fizik Dernegi 18 Fizik Kongresi 25-28 Ekim Çukurova Universiteti-Adana, 1993, p.213
  • Abstaracte of VII Guter Conf-on Solid films and surfaces Gaivan, 1996
  • 35th InRal congress, 14-19 august, Istambul, 1995
  • XXIV Conference of EGMRSы, Safaqa, Egypt, 22-26 fevral, 2004
  • TPE-2006 Tzird İnternat. Conferense on Technical and Physical Problems in Power Engineering, 29-31 may, 2006, Ankara, Turkey, p.662-664.
  • Труды V Международ. научн.-техн.конф. «Актуальные проблемы физики». Баку-2008, 25-27 июнь.
  • Fizikanın müasir problemləri II Respublika konf. mater., 28-29 noyabr, Bakı-2008.
  • XIIInternational Conference on Solid State, Cairo, Egypt, June 2-5, 1989.
  • III All-Union Conference on Physico-Chemical Basis of Ferroelectric and Related Materials Technology. Moscow, October 24-28, 1988.
  • XII European Conference on Studying the Surface, Stockholm, Sweden, September 9-12, 1991.
  • I All-Union Symposium "Electron Diffraction Methods in Studying the Substance Structure". Moscow, 1991.
  • V Republican Scientific Conference. Baku, October 22-24, 1992.
  • I осс симп. Методы дифракции электронов в исследовании структуры веществ, Звенигород, 1991
  • Тез. докл. III Всесоюз. конф. материаловед. Халькогенидных пол.-ков, Черновцы, 1991, с.223
  • Sallite konf. Of the XXX annual meeting of the euor plan High Pres Res Group Phys of Multicom ponent Semicond, 12 October, 1992
  • Türk Fizik Dernegi 18 Fizik Kongresi 25-28 Ekim Çukurova Universiteti-Adana, 1993, p.213
  • Abstaracte of VII Guter Conf-on Solid films and surfaces Gaivan, 1996
  • 35th InRal congress, 14-19 august, Istambul, 1995
  • XXIV Conference of EGMRSы, Safaqa, Egypt, 22-26 fevral, 2004
  • TPE-2006 Tzird İnternat. Conferense on Technical and Physical Problems in Power Engineering, 29-31 may, 2006, Ankara, Turkey, p.662-664.
  • Труды V Международ. научн.-техн.конф. «Актуальные проблемы физики». Баку-2008, 25-27 июнь.
  • Fizikanın müasir problemləri II Respublika konf. mater., 28-29 noyabr, Bakı-2008.

SEÇİLMİŞ ƏSƏRLƏRİ

  • Agasiev A.A. Zeinally A.Kh., Mamedov A.M., Efendiev Sh.M. Optical absorption edge of Sb2S3 single crystalline films. Fiz. Tekhn. Poluprov.- 1972. – V.6. -№ 4. P.649-653 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.Kh., Silveotrov V.G. SbSJ thin films with the ferroelectric phase transition. Kristallografiya. -1973, -V.18. №6. - P.1293-1296 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.Kh., Efendiev Sh.M. Direct allowed transitions in SbSJ. Fiz. Tekhn. Poluprov.- 1974. –V.8. №1. – P.197-200 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.U., Salmanov V.D. Preparation of sulfoiodide, antimony sulfide and indium selenide crystalline films. Fiz. Tekhn, Poluprov. 1975. - V.9, №6 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.Kh., Tagirov V.I., Salmanov V.B., Karakurkohi K.Yu. Oryetalline films obtained by sublimation using a laser. Fiz. Tekhn. Poluprov. 1975. -V.12. №6. - P.1170-1172 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Berezhnoi A.A., Lebedeva N.N., Mamedov A.M.Cathodo­lumi­nescence in ferroelectries with the diffused phase transition. Pisma v ZhTF. - 1977. - V.22. P.1176-1178 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Salmanov V.B., Tagirov V.I. The laser beam effect on a thin film structure. Fiz. Tekhn. Poluprov. - 1977. -V.11, №12, P.2363 (in Russian),
  • Agasiev A.A., Mamedov A.M., Lebedeva N.N. Luminescence of some oxygen-octahedron ferro­eleotrics exposed to an electron beam.Mat. Res. Bull. - 1978. - V.13. – P. 6 4 9.
  • Agasiev A.A., Abdullaev G.B., Iskenderzade Z.A., Jafarova E . A., Tagirov V.İ., Sobeikh N.A., Salmanov V.B., Yaroshevski B.M. Obtaining of structures using a laser. Fiz. Tekhn. Poluprov.1978.№12. - P.2275 (in Russian)
  • Agasiev A.A., Abdullaev G.B., Iskenderzade Z. A., Jafarova E.A., Tagirov V.I., Sobeikh M.A., Yaroshevski B.M., Salmanov V.M. Formation of semiconductive heterostruetures by laser radiation. Fiz. Tekhn. Poluprov. - 1978. -№12. - P.126(in Russian).
  • Agasiev A.A., Bezhanova A.I., Orbukh V.I., Silvestrov V.G., Zeinally A.Kh. Integral liht scattering and polarization in SBN c r ys tals. Opt i k aiS pe k t r o s k o p i y a. -1986. - V.60. №4. -P.872-874 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.Kh., Alekperov S.J., Guseinov Ya.Yu. Photoelectrical properties of Bi2O3 thin films. Mat. Res. Bull. - 1986. - V.21. - P.765-771.
  • Agasiev A.A., Bagiov V.E., Mamedov A.M., Guseinov Ya.Yu. VUV reflection spectra and electron structure of Bi2O3. Phys. Stat. Sol.(B). -1988. -V.149. P.K191-K195.
  • Agasiev A.A., Efendiev Sh.M., Bagiev V.E., Guseinov Ya.Yu. Nonlinear current-voltage characteristics in Me-Bi2O3-Me structure. Phys. Stat. Sol. (a). - 1989. - V.116, - P.305.
  • Agasiev A.A., Vidadi Yu.A., Bagiev V.E., Guseinov Ya.Yu, Frequency-compen­sating effect in electric conductivity of Bi2O3 films. Phys. Stat. Sol. (a). 1989. -№1. - P.115.
  • Agasiev A.A., Akhundov Ch.G., Elivazova G.M., Mamedov M.Z. Electrocon­ductivity of SrTiO3 films with intergrain barriers. Physica B. North-Holland. -1991.-V.173.-P.419-422.
  • Agasiev A.A., Guseinov Ya.Yu. Pecullarities of photoelectrical properties of bismuth oxide films. Phys. Stat. Sol. (a), - 1993. - V.136, - P.473.
  • Agasiev A.A., Orbukh V.I., Mamedov M.Z. Peculiarities of Bi4Ti3O12 films grown by DC magnetron sputtering. J. Phys. III, France. -1994. -V.4. -P.2521-2529.
  • F.Parlaktürka, Ş.Altındalb, A.Tataroğlub, M.Parlakc, A.Ağasiyevb. On the profile of frequency deperdent series resistanol atd surface states in Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) structures. Microelectronic Engineering 85 (2008) 81-88.
  • Ş.Altındal, F.Parlaktürk, A.Tataroğlu, M.Parlak, S.N.Sarmasov, A.Ağasiyev. Thetemperature profile and BİOS dapendent series resistarce of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) structures. Vaccum 82 (2008) 1246-1250.
  • Funda Parlaktürk, Arif Ağasiyev, Adam Tataroğlu, Şemsettin Altındal. Current-Voltage (I-V) and Capacitance-Voltage (C-V) Characneristice of Au/Bi4Ti3O12/SiO2 Structures. G.U.Jornal of Science 20 (4): 97-102 (2007).
  • М.М.Панахов, А.А.Агасиев, С.Н.Сармасов. Зависимость проводимости полупроводни­ковой пленки PbTe от поляризационного состояния сегнетоэлектрика.
Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti