FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

XƏBƏRLƏR

RƏHBƏRLİK

ELMİ ŞÜRA

ŞÖBƏLƏR

ƏMƏKDAŞLAR

UNUDULMAZ ALİMLƏR

HESABATLAR, PLANLAR

TƏDQİQATLAR

İNFORMASİYA

ELMİ FONDLAR

JURNALLAR

KONFRANSLAR

FOTOALBOM

BAL CƏDVƏLLƏRİ


Arif A. Ağasiyev

Baş elmi işçi, Fizika Problemləri İnstitutu,

Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi

İş telefonu: 439 06 93

e-mail: arif.agasiyev@bsu.az

QISA BİOQRAFİK MƏLUMAT

  • 1941-cı il sentyabrın 19-da Xudat rayonu Seyidli kəndində anadan olmuşam.
  • 1959-cı ildə orta məktəbini bitirmişəm.

TƏHSİLİ, ELMİ DƏRƏCƏSİ VƏ ELMİ ADLARI

  • 1965-1968: Fizika fakültəsi, Bakı Dövlət Universiteti, tələbə
  • 1973: f.-r.e.n., Yarımkeçiricilər fizikası, Fizika fakültəsi,Bakı Dövlət Universiteti
  • 1995: f.-r.e.d., Bərk cisilər fizikası, mövzu «Mürəkkəb metallooksid nazik təbəqələrin formalaşması və elektrofiziki xassələri», Fizika fakültəsi, BDU

 

ƏMƏK FƏALİYYƏTİ

  • 2005: baş elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi, Fizika Problemləri İnstitutu, BDU
  • 1992-2005: baş elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU
  • 1987-1992: aparıcı elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU
  • 1982-1987:böyük elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU
  • 1979-1982:müəllim, Neft və Qaz İnstitutu, Əlcəzair
  • 1969-1973:kiçik elmi işçi, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU
  • 1968-1969: mühəndis, Yarımkeçiricilər fizikası lab., BDU

 

TƏDQİQAT SAHƏSİ

Sabit cərəyanlı maqnetron sistemli ion tozlandırma metodu ilə mürəkkəb metallooksid nazik təbəqələrin alınması..

BEYNƏLXALQ SEMİNAR, SİMPOZİUM VƏ KONFRANSLARDA İŞTİRAKI

  • XIIInternational Conference on Solid State, Cairo, Egypt, June 2-5, 1989.
  • III All-Union Conference on Physico-Chemical Basis of Ferroelectric and Related Materials Technology. Moscow, October 24-28, 1988.
  • XII European Conference on Studying the Surface, Stockholm, Sweden, September 9-12, 1991.
  • I All-Union Symposium "Electron Diffraction Methods in Studying the Substance Structure". Moscow, 1991.
  • V Republican Scientific Conference. Baku, October 22-24, 1992.
  • I осс симп. Методы дифракции электронов в исследовании структуры веществ, Звенигород, 1991
  • Тез. докл. III Всесоюз. конф. материаловед. Халькогенидных пол.-ков, Черновцы, 1991, с.223
  • Sallite konf. Of the XXX annual meeting of the euor plan High Pres Res Group Phys of Multicom ponent Semicond, 12 October, 1992
  • Türk Fizik Dernegi 18 Fizik Kongresi 25-28 Ekim Çukurova Universiteti-Adana, 1993, p.213
  • Abstaracte of VII Guter Conf-on Solid films and surfaces Gaivan, 1996
  • 35th InRal congress, 14-19 august, Istambul, 1995
  • XXIV Conference of EGMRSы, Safaqa, Egypt, 22-26 fevral, 2004
  • TPE-2006 Tzird İnternat. Conferense on Technical and Physical Problems in Power Engineering, 29-31 may, 2006, Ankara, Turkey, p.662-664.
  • Труды V Международ. научн.-техн.конф. «Актуальные проблемы физики». Баку-2008, 25-27 июнь.
  • Fizikanın müasir problemləri II Respublika konf. mater., 28-29 noyabr, Bakı-2008.
  • XIIInternational Conference on Solid State, Cairo, Egypt, June 2-5, 1989.
  • III All-Union Conference on Physico-Chemical Basis of Ferroelectric and Related Materials Technology. Moscow, October 24-28, 1988.
  • XII European Conference on Studying the Surface, Stockholm, Sweden, September 9-12, 1991.
  • I All-Union Symposium "Electron Diffraction Methods in Studying the Substance Structure". Moscow, 1991.
  • V Republican Scientific Conference. Baku, October 22-24, 1992.
  • I осс симп. Методы дифракции электронов в исследовании структуры веществ, Звенигород, 1991
  • Тез. докл. III Всесоюз. конф. материаловед. Халькогенидных пол.-ков, Черновцы, 1991, с.223
  • Sallite konf. Of the XXX annual meeting of the euor plan High Pres Res Group Phys of Multicom ponent Semicond, 12 October, 1992
  • Türk Fizik Dernegi 18 Fizik Kongresi 25-28 Ekim Çukurova Universiteti-Adana, 1993, p.213
  • Abstaracte of VII Guter Conf-on Solid films and surfaces Gaivan, 1996
  • 35th InRal congress, 14-19 august, Istambul, 1995
  • XXIV Conference of EGMRSы, Safaqa, Egypt, 22-26 fevral, 2004
  • TPE-2006 Tzird İnternat. Conferense on Technical and Physical Problems in Power Engineering, 29-31 may, 2006, Ankara, Turkey, p.662-664.
  • Труды V Международ. научн.-техн.конф. «Актуальные проблемы физики». Баку-2008, 25-27 июнь.
  • Fizikanın müasir problemləri II Respublika konf. mater., 28-29 noyabr, Bakı-2008.

SEÇİLMİŞ ƏSƏRLƏRİ

  • Agasiev A.A. Zeinally A.Kh., Mamedov A.M., Efendiev Sh.M. Optical absorption edge of Sb2S3 single crystalline films. Fiz. Tekhn. Poluprov.- 1972. – V.6. -№ 4. P.649-653 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.Kh., Silveotrov V.G. SbSJ thin films with the ferroelectric phase transition. Kristallografiya. -1973, -V.18. №6. - P.1293-1296 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.Kh., Efendiev Sh.M. Direct allowed transitions in SbSJ. Fiz. Tekhn. Poluprov.- 1974. –V.8. №1. – P.197-200 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.U., Salmanov V.D. Preparation of sulfoiodide, antimony sulfide and indium selenide crystalline films. Fiz. Tekhn, Poluprov. 1975. - V.9, №6 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.Kh., Tagirov V.I., Salmanov V.B., Karakurkohi K.Yu. Oryetalline films obtained by sublimation using a laser. Fiz. Tekhn. Poluprov. 1975. -V.12. №6. - P.1170-1172 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Berezhnoi A.A., Lebedeva N.N., Mamedov A.M.Cathodo­lumi­nescence in ferroelectries with the diffused phase transition. Pisma v ZhTF. - 1977. - V.22. P.1176-1178 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Salmanov V.B., Tagirov V.I. The laser beam effect on a thin film structure. Fiz. Tekhn. Poluprov. - 1977. -V.11, №12, P.2363 (in Russian),
  • Agasiev A.A., Mamedov A.M., Lebedeva N.N. Luminescence of some oxygen-octahedron ferro­eleotrics exposed to an electron beam.Mat. Res. Bull. - 1978. - V.13. – P. 6 4 9.
  • Agasiev A.A., Abdullaev G.B., Iskenderzade Z.A., Jafarova E . A., Tagirov V.İ., Sobeikh N.A., Salmanov V.B., Yaroshevski B.M. Obtaining of structures using a laser. Fiz. Tekhn. Poluprov.1978.№12. - P.2275 (in Russian)
  • Agasiev A.A., Abdullaev G.B., Iskenderzade Z. A., Jafarova E.A., Tagirov V.I., Sobeikh M.A., Yaroshevski B.M., Salmanov V.M. Formation of semiconductive heterostruetures by laser radiation. Fiz. Tekhn. Poluprov. - 1978. -№12. - P.126(in Russian).
  • Agasiev A.A., Bezhanova A.I., Orbukh V.I., Silvestrov V.G., Zeinally A.Kh. Integral liht scattering and polarization in SBN c r ys tals. Opt i k aiS pe k t r o s k o p i y a. -1986. - V.60. №4. -P.872-874 (in Russian).
  • Agasiev A.A., Zeinally A.Kh., Alekperov S.J., Guseinov Ya.Yu. Photoelectrical properties of Bi2O3 thin films. Mat. Res. Bull. - 1986. - V.21. - P.765-771.
  • Agasiev A.A., Bagiov V.E., Mamedov A.M., Guseinov Ya.Yu. VUV reflection spectra and electron structure of Bi2O3. Phys. Stat. Sol.(B). -1988. -V.149. P.K191-K195.
  • Agasiev A.A., Efendiev Sh.M., Bagiev V.E., Guseinov Ya.Yu. Nonlinear current-voltage characteristics in Me-Bi2O3-Me structure. Phys. Stat. Sol. (a). - 1989. - V.116, - P.305.
  • Agasiev A.A., Vidadi Yu.A., Bagiev V.E., Guseinov Ya.Yu, Frequency-compen­sating effect in electric conductivity of Bi2O3 films. Phys. Stat. Sol. (a). 1989. -№1. - P.115.
  • Agasiev A.A., Akhundov Ch.G., Elivazova G.M., Mamedov M.Z. Electrocon­ductivity of SrTiO3 films with intergrain barriers. Physica B. North-Holland. -1991.-V.173.-P.419-422.
  • Agasiev A.A., Guseinov Ya.Yu. Pecullarities of photoelectrical properties of bismuth oxide films. Phys. Stat. Sol. (a), - 1993. - V.136, - P.473.
  • Agasiev A.A., Orbukh V.I., Mamedov M.Z. Peculiarities of Bi4Ti3O12 films grown by DC magnetron sputtering. J. Phys. III, France. -1994. -V.4. -P.2521-2529.
  • F.Parlaktürka, Ş.Altındalb, A.Tataroğlub, M.Parlakc, A.Ağasiyevb. On the profile of frequency deperdent series resistanol atd surface states in Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) structures. Microelectronic Engineering 85 (2008) 81-88.
  • Ş.Altındal, F.Parlaktürk, A.Tataroğlu, M.Parlak, S.N.Sarmasov, A.Ağasiyev. Thetemperature profile and BİOS dapendent series resistarce of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) structures. Vaccum 82 (2008) 1246-1250.
  • Funda Parlaktürk, Arif Ağasiyev, Adam Tataroğlu, Şemsettin Altındal. Current-Voltage (I-V) and Capacitance-Voltage (C-V) Characneristice of Au/Bi4Ti3O12/SiO2 Structures. G.U.Jornal of Science 20 (4): 97-102 (2007).
  • М.М.Панахов, А.А.Агасиев, С.Н.Сармасов. Зависимость проводимости полупроводни­ковой пленки PbTe от поляризационного состояния сегнетоэлектрика.
Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti