FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

XƏBƏRLƏR

RƏHBƏRLİK

ELMİ ŞÜRA

ŞÖBƏLƏR

ƏMƏKDAŞLAR

UNUDULMAZ ALİMLƏR

HESABATLAR, PLANLAR

TƏDQİQATLAR

İNFORMASİYA

ELMİ FONDLAR

JURNALLAR

KONFRANSLAR

FOTOALBOM

BAL CƏDVƏLLƏRİ


Ləman K. Abdullayeva

Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi, kiçik elmi işçisi

İş tel.: (+99412) 439 06 93, 5103432

e-mail: laman.abdullayeva@bsu.az

QISA BİOQRAFİK MƏLUMAT

  • 1974:Azərbayzan,Yevlax ş.

TƏHSİLİ, ELMİ DƏRƏCƏSİ VƏ ELMİ ADLARI

  • 1998 – 2006:dissertant, Fiziki elektronika kafedrası, BDU
  • 1992 – 1997: tələbə, Fizika fakültəsi, BDU

ƏMƏK FƏALİYYƏTİ

  • 2005:k.e.i., Yarımkeçiricilərfizikası şöbəsi, FizikaProblemləri İnstitutu, BDU
  • 1997-2005:k.e.i., Amorf təbəqələr ETL, BDU

TƏDQİQAT SAHƏSİ

  • Metal-yarımkeçirici kontaktların fizikası

BEYNƏLXALQ SEMİNAR, SİMPOZİUM VƏ KONFRANSLARDA İŞTİRAKI

  • 2008: Bakı, Azərbaycan, Fizikanın müasir problemləri, II Respublika konfransı
  • 2005: Bakı,I Beynəlxalq Konfrans “Fizika-2005“, 7-9 iyun (AMEA-nın 60 illiyinə həsr olunmuş)
  • 1999: Bakı, 21-24 Setyabr, Beynəlxalq Konfrans“Energy, Ecology, Economy”

SEÇİLMİŞ ƏSƏRLƏRİ

  • Solid State Electronics, 51 (2007), 1096-1100. Afandiyeva I.M., Askerov Sh.G., Abdullayeva L.K., Aslanov Sh.S. The obtaining of Al-Ti10W90/n-Si Schottky diodes and investigation of their interface surface state density.
  • Microelectronic Engineering. 85, 2008, 365-370. Afandiyeva I.M., Askerov Sh.G. Dökme İ., Altındal Ş., Abdullayeva L.K. The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al-TiW-Pd2Si/nSi structure using I-V, C-V and G/w-V measurements.

 

Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti