FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

XƏBƏRLƏR

RƏHBƏRLİK

ELMİ ŞÜRA

ŞÖBƏLƏR

ƏMƏKDAŞLAR

UNUDULMAZ ALİMLƏR

HESABATLAR, PLANLAR

TƏDQİQATLAR

İNFORMASİYA

ELMİ FONDLAR

JURNALLAR

KONFRANSLAR

FOTOALBOM

BAL CƏDVƏLLƏRİ


Ləman K. Abdullayeva

Bakı Dövlət Universitetinin Fizika Problemləri Elmi Tədqiqat İnstitutunun Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin böyük elmi işçisi
İş telefonu: (+994) 12 5103432
e-mail: lemanabdullayeva1974@gmail.com


Qısa bioqrafik məlumat

  • 1974, Yevlax ş.
  • 1981-1991, 8 sayli orta məktəb, Yevlax ş.


Təhsili, elmi dərəcə və elmi adları

  • 1992 – 1997: tələbə, Fizika fakültəsi, BDU
  • 1998 – 2006:dissertant, Fiziki elektronika kafedrası, BDU
  • 2009- fizika üzrə fəlsəfə doktoru (Dissertasiyasının  ixtisası: 05.27.01- Bərk cisim elektronikası, radioelektron komponentlər, mikro- və nanoelektronika)


Əmək fəaliyyəti

  • 1997 –2018 - k.e.i., Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi, Bakı Dövlət Universitetinin Fizika Problemləri Elmi Tədqiqat İnstitutu, BDU
  • 2018 – h/h - b.e.i., Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi, Bakı Dövlət Universitetinin Fizika Problemləri Elmi Tədqiqat İnstitutu, BDU

 

Tədqiqat sahəsi

  • Metal-yarımkeçirici kontaktların fizikası


Qrantlar və nailiyyətlər

  • 2009-2010- Universitetdaxili 50+50 qrantlar proqramı.,Bakı.
  • 2018-2019- Universitetdaxili 50+50 qrantlar proqramı.,Bakı.
  • “New Materials,  Compounds  and  Applications ” jurnalının redaksiya asistenti - ildə 3 dəfə çap olunur.
  • “Low Dimensional Systems”   ” jurnalının icracı redaktoru - ildə 2 dəfə çap olunur.
  • “Journa of  Modern Technology and Engineering”jurnalının aparıcı redaktoru- ildə 3 dəfə çap olunur.

 

Beynəlxalq seminar, simpozium və konfranslarda iştirakı

 

  • 1999- Bakı, 21-24 Sentyabr, Beynəlxalq Konfrans“Energy, Ecology, Economy”
  • 2005- Bakı,I Beynəlxalq Konfrans “Fizika-2005“, (AMEA-nın 60 illiyinə həsr olunmuş)
  • 2008- Bakı, Azərbaycan, Fizikanın müasir problemləri, II Respublika konfransı
  • 2009- Bakı,III International Conference AICT
  • 2014- Удьяновcк Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы Труды XVII-ая  международная конференция.
  • 2015- BDU, Fizika Prob-lemləri İnstitutunun 10 illiyinə həsr olunmuş “Opto- nanoelektronika, kondensə olunmuş mühit və yüksək enerjilər fi-zikası”, Beynəlxalq Konfrans
  • 2016- Metallar fizikasının müasir problem., V Beyn. Elmi-Praktik Konfrans.
  • 2017- Müasir təbiət elmlərinin aktual problemləri, 4-5 may, Beynəlxalq Elmi Konfrans.
  • 2017- International Conference Modern Trends in Physics


Seçilmiş əsərləri

 

  • Ş.Q.Əsgərov, İ.M.Əfəndiyeva, L.K.Abdullayeva, M.A.Qəmbərzadə, M.N.Ağayev  (TI10 W90 – nSi) Şottki baryerinin hündürlüyünün tədqiqi, BU-nun xəbərləri, 1999, Fizika-riyaziyyat elmləri seriyası, , № 1, s.93-95.
  • И.М.Эфендиева, Л.К.Абдуллаева, М.Н.Агаев Обратные вольт- амперные характеристике диодов Шоттки   (PtSi+TiW-Al)-nSi, Fizika , 2000, №1, c. 6 ,s.9-10.
  • И.М.Эфендиева, Л.К.Абдуллаева Электронные свойства границы раздела     2005, TiW-nSi «Fizika-2005», Məqalələr toplusu, s.245-246.
  • И.М.Эфендиева, В.Х.Шарбатов . Ш.Алтундал , Л.К.Абдуллаева Флуктуации потенциала  диодов (PtSi+TiW-Al)-nSi Azərb.MEA-nın Xəbərləri, 2006 c.XXVI, , №2, s.115-118.
  • L.K.Abdullayeva  (AL-TiW)-nSi diodların elektrofiziki parametrlərinin həndəsi ölçülərdən asılılığı, BU-nun xəbərləri, 2006, №4, s.161-164.
  • S.Özçelik, Sh.Altundal, İ.M.Afandiyeva,  Sh.Q.Askerov, L.K. Abdullayeva Analogue of the inductance on the basis of (AL-TiW+PtSi)-nSi Shottky diodes, «Fizika» , AMEA-nın Fizika -Riyaziyyat və Texnika Elmləri Bölməsi, 2007,c. Xİİ, s.299-300.
  • İ.M.Əfəndiyeva,  Ş.Q.Əsgərov,  L.K.Abdullayeva ,  M.N.Ağayev , M.H.Həsənov Al0,8Ni0,2/nSi  diodların ayrılma sərhəddinin elektron xassələri Fizika, 2007, c.XIII,  №3 s.62-65.
  • I.M.Afandiyeva, Sh.G.Askerov, L.K.Abdullayeva, Sh.S. Aslanov The obtaining of Al-Ti10W90/n-Si Schottky diodes and investigation of their interface surface state density. Solid State Electronics, 51, 2007, pp.1096-1100.
  • I.M.Afandiyeva, Sh.G Askerov. İ.Dökme, Ş. Altındal, L.K. Abdullayeva The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al-TiW-Pd2Si/nSi structure using I-V, C-V and G/w-V measurements. Microelectronic Engineering. 85, 2008, pp.365-370.
  • I.M.Əfəndiyeva, S.Q.Əsgərov, L.K.Abdullayeva,  T.Z.Quliyeva, S.M.Qocayeva Muxtəlif olcülü Al-TiW/n-Si Sottki diodlari cəpər hündürlüyünün tədqiqi, Azerbaijan Journal of Physics, Fizika, 2010, vol.XVI, Number 2,. s. 20-23.
  • I.M.Afandiyeva, L.K. Abdullayeva Photoluminescence study of metal films impact on silicon energetic structure. Journal of Qafqaz University, 2010 , Num.29, Vol. 1,  s.95-99
  • M.N.Ağayev, V.H.Səfərov, M.N.Həsənov, L.K.Abdullayeva, Al80Ni20∕n–Si kontaktlarında istilik deqradasiyası, Bakı Universitetinin  Xəbərləri2014, №2 ,  s.153-157
  • I.M.Afandiyeva,Abdullayeva L.K. Ş.Altindal, E. Maril, T.Z.Guliyeva The investigation of tunnel properties of AL-TIW-PtSi/n-Si (111)(MS) schottky barrier diodes (SBDS) in the wide temperature range, Journal of Qafqaz University, 2014,Number 2, Volume 2 , pp.107-118.
  • I.M.AfandiyevaŞ.Altındal,  L.K. Abdullayeva T.Z.Guliyeva Sh.M.Gojayeva S.E.Bagirova M.H.Hasanov The frequency and voltage dependent  and  characteristics  of  Al–TiW–PtSi/n–Si  structures at room temperature Journal of Qafqaz University, Number 2, Volume 3, 2015, pp.105-111.
  • И.М.Эфендиева Л.К.Абдуллаева Т.З.Кулиева Ш.М.Годжаева С.Э.Багирова АС-проводимость диодов  шоттки   Al-TiW-PtSi/n-Si, Journal of Qafqaz University, Number 1, Volume 3, 2015, pp.49-52.
  • Ш.Г.Аскеров, М.Г.Гасанов, Л.К.Абдуллаева. Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера контакта металл- полупроводник, ФТП, № 5, т.51, в.5, с.627-629, 2017
  • I.M.Afandiyeva,Abdullayeva L.K.,  Ş.Altindal . Illumination dependent electrical characteristics of PtSi/n-Si(111) Schottky Barrier Diodes (SBDs) at room temperature , Journal of Modern Technology & Engineering, vol.2, No.1, p.43-56, 2017
  • Sh.Q. Askerov, L.K. Abdullayeva, M.H. Hasanov. Origin of discrepancies in the experimental values of the barrier height at metal–semiconductor junctions, Semiconductors , Vol. 51, No. 5, pp. 620–622. 2017
  • Ш.Г.Аскеров, И.М.Эфендиева, М.Г.Гасанов Л.Ф.Агамалиева. Влияние термоотжига на электрофизических свойств Диодов  Шоттки, Azərbaycan Texniki Universiteti, Elmi əsərlər, №1, s.51-54, 2018
  • I.M.Afandiyeva, Ş. Altındal, A.I.Bayramova. Self-assembled  patches  in PtSi/n-Si (111) diodes,  Journal of Semiconductors, v.39, №5, pp. 054002-1---054002-7, 2018
Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti