FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

XƏBƏRLƏR

RƏHBƏRLİK

ELMİ ŞÜRA

ŞÖBƏLƏR

ƏMƏKDAŞLAR

UNUDULMAZ ALİMLƏR

HESABATLAR, PLANLAR

TƏDQİQATLAR

İNFORMASİYA

ELMİ FONDLAR

JURNALLAR

KONFRANSLAR

FOTOALBOM

BAL CƏDVƏLLƏRİ


Məhəmməd H. Həsənov

Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi, elmi işçi

İş telefonu: +(994) 12 510 34 32

e-mail: mamed.hasanov@bsu.az

 

QISA BİOQRAFİK MƏLUMAT

1951, Ermənistan SSR, Krasnoselo r-nu, Toxluca kəndi

TƏHSİLİ VƏ ELMİ DƏRƏCƏ VƏ ELMİ ADLARI

1973, Azərbaycan Dövlət Universiteti

ƏMƏK FƏALİYYƏTİ

  • 1973-1976:müəllim, Laçın rayonu; TM
  • 1976 – 1989: Elmi hissə, BDU
  • 1989 – 2005: elmi işçi, „Amorf təbəqələr“ ETL, BDU
  • 2005: elmi işçi, Yarımkeçiricilər Fizikası şöbəsi, Fizika Problemləri İnstitutu, BDU

 

TƏDQIQAT SAHƏSI

Yarımkeçiricilər fizikası, Metal-yarımkeçirici kontaktı

BEYNƏLXALQ SEMİNAR, SİMPOZİUM VƏ KONFRANSLARDA İŞTİRAKI

  • 2005, iyun, Bakı, Azərbaycan, 8-ci Beynəlxalq konqresi. „Enerji, Ekologiya, Ekonomika“.
  • 2005, iyun, Bakı, Azərbaycan, AMEA, Fizika İnstitutunun 60 illiyinə həsr olunur.
  • 2007, noyabr, Bakı, Azərbaycan, Beynəlxalq elmi konfrans, Akad. H.Əliyevin 100 illik yubileyinə həsr olunur.
  • 2008, iyun, Bakı, Azərbaycan, 5-ci Beynəlxalq elmi-texniki konfransı, „Fizikanın aktual problemləri“.

SEÇIILMIŞ ƏSƏRLƏRI

  • М.Г.Гасанов, Ш.Г.Аскеров, М.Н.Агаев, В.А.Оруджов, Н.А.Гусейнов. Зависимостьэффективностикремниевыхсолнечныхэлементовотвысотыбарьера P-N перехода. AzərbaycanMilli ЕlmlərAkademiyasi,“Energetikanın problemləri” Bakı 2004. 1. səh.71-74
  • М.Г.Гасанов, Ш.Г.Аскеров, Н.А.Гусейнов, Ш. Асланов, М.Н.Агаев. Определение основных араметров кремниевых фотопробразователей Bakı Universitetinin xəbərləri № 2, 2005,səh.151-154
  • M.N. Qasanov, N.A. Quseynov, Sh.Q.Askerov, Sh.S.Aslanov. M.N.Agaev Technology of manufacturing the reliable silicon photo converters with long operation time Semiconductor phusiks Quantum Electroniks Optoelecktroniks,2005,V.8, 3, P.85-87,Almaniya
  • М.Г.Гасанов, Н.А.Гусейнов, Ш.Г.Аскеров, М.Н.Агаев. Влияниегеометрииконтактнойсеткинафотоэнергетическиепараметрыкремниевыхсолнечныхэлементов Bakı Universitetinin xəbərləri № 4, 2006,səh.156-160
  • M.H.Həsənov, İ.M.Əfəndiyeva, Ş.Q.Əsgərov, L.K.Abdullayeva, M.N.Ağayev. Al0,8Ni/n Si Diodları ayrılma sərhəddinin elektron xassələri AMEA Fizika cild 13, 2007, səh.62-64.

 

Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti