FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

XƏBƏRLƏR

RƏHBƏRLİK

ELMİ ŞÜRA

ŞÖBƏLƏR

ƏMƏKDAŞLAR

UNUDULMAZ ALİMLƏR

HESABATLAR, PLANLAR

TƏDQİQATLAR

İNFORMASİYA

ELMİ FONDLAR

JURNALLAR

KONFRANSLAR

FOTOALBOM

BAL CƏDVƏLLƏRİ


Məhəmməd H. Həsənov

Bakı Dövlət Universitetinin Fizika Problemləri Elmi Tədqiqat İnstitutunun Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsinin  elmi işçisi

İş telefonu: (+994) 12 5103432
e-mail: mahammad.hasanov.51@mail.ru

QISA BİOQRAFİK MƏLUMAT

  • 1951, Ermənistan, Krasnoselo r., Toxluca k.
  • 1958-1968, Ağstafa ş., 2 sayli orta məktəb


TƏHSİLİ, ELMİ DƏRƏCƏ VƏ ELMİ ADLARI

  • 1968 – 1973: tələbə, Fizika fakültəsi, ADU

ƏMƏK FƏALİYYƏTİ

  • 1973-1976, müəllim, Lacın r.,Fərraş kənd orta məktəbi
  • 1976-1989 böyük elmi işçi, Azərbaycan Dövlət Universiteti, ETH
  • 1989-2005 elmi işçi, BDU, “Amorf təbəqələr” ETL
  • 2005 – h/h - e.i., Yarımkeçiricilər fizikası şöbəsi, Bakı Dövlət Universitetinin Fizika Problemləri Elmi Tədqiqat İnstitutu, BDU

TƏDQIQAT SAHƏSİ

  • Metal-yarımkeçirici kontaktların fizikası

SEÇİLMİŞ ƏSƏRLƏRİ

  • М.Г.Гасанов, Ш.Г.Аскеров, М.Н.Агаев, В.А.Оруджов, Н.А.Гусейнов. Зависимость эффек­тив­­нос­ти кремниевых солнечных элементов от высоты барьера P-N перехода. Azərbaycan Milli Еlmlər Akademiyası,“Energetikanın problemləri”. Bakı, 2004. №1. s.71-74
  • М.Г.Гасанов, Ш.Г.Аскеров, Н.А.Гусейнов, Ш. Асланов, М.Н.Агаев. Определение основ­ных параметров кремниевых фотопреобразователей Bakı Universitetinin xəbərləri №2, 2005, s.151-154
  • M.N. Qasanov, N.A. Quseynov, Sh.Q.Askerov, Sh.S.Aslanov. M.N.Agaev. Technology of manufacturing the reliable silicon photo converters with long operation time Semiconductor phusiks Quantum Electronics Optoelecktroniks, Almaniya, 2005,V.8, № 3, pp.85-87.
  • М.Г.Гасанов, Н.А.Гусейнов, Ш.Г.Аскеров, М.Н.Агаев. Влияние геометрии контактной сет­ки на фотоэнергетические параметры кремниевых солнечных элементов. Bakı Univer­sitetinin xəbərləri № 4, 2006,səh.156-160
  • M.H.Həsənov, İ.M.Əfəndiyeva, Ş.Q.Əsgərov, L.K.Abdullayeva, M.N.Ağayev. Al0,8Ni/nSi Diod­ları ayrılma sərhəddinin elektron xassələri AMEA Fizika, cild 13, 2007, s.62-64.
  • Ш.Г.Аскеров, М.Г.Гасанов, Л.К.Абдуллаева. Причина расхождения экспериментальных зна­чений высоты барьера контакта металл-полупроводник, ФТП, 2017, № 5, т.51, в.5, с.627-629,
  • Sh.Q. Askerov, L.K. Abdullayeva, M.H. Hasanov. Origin of discrepancies in the experimental values of the barrier height at metal–semiconductor junctions, Semiconductors , 2017, Vol. 51, N 5, pp. 620-622.
Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti