FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

XƏBƏRLƏR

RƏHBƏRLİK

ELMİ ŞÜRA

ŞÖBƏLƏR

ƏMƏKDAŞLAR

UNUDULMAZ ALİMLƏR

HESABATLAR, PLANLAR

TƏDQİQATLAR

İNFORMASİYA

ELMİ FONDLAR

JURNALLAR

KONFRANSLAR

FOTOALBOM

BAL CƏDVƏLLƏRİ


YARIMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI

YARIMKEÇİRİCİ KRİSTAL VƏ NAZİK TƏBƏQƏLƏRİN OPTİK

VƏ FOTOELEKTRİK XASSƏLƏRİ

TƏDQİQAT SAHƏLƏRİ

  • Elektrokimyəvi və kimyəvi aşılama metodu ilə alinmiş nanoməsaməli silisiumun foto- və elektrolyuminessensiyası.
  • А2В6 tipli bərk məhlulların nazik təbəqələrinin elektron xassələri, neqatron effekti və günəş elementləri üçün heterokeçidlər.
  • Amorf və monokristallik metal təbəqəli metal – yarımkeçirici kontaktların emission və elektrofiziki parametrlərinin tədqiqi
  • Qaz boşalması plazmasının yarımkeçiricilərin səthindəki nanostrukturun morfologiyasına təsirinin tədqiqi.


ƏSAS NƏTİCƏLƏR

Rüstəmov F.Ə., Məmmədov M., Dərvişov N.H.

Nanoməsaməli silisumun oksidləşdiricinin çatışmazlığı rejimində kimyəvi aşılama metodu ilə alınması zamanı sirkə turşusunun reaksiyanın dinamikasına və nümunələrin morfologiyasına təsiri tədqiq edilmişdir. Aşılayıcı məhlulun optimal tərkibi müəyyən edilmişdır. Mütləq təkrarlanan, lateral bircins, müxtəlif qalınlıqlı və lyuminessensiya qabiliyyətli nanoməsaməli silisium nümunələri alınmışdır.

Rüstəmov F.Ə., Məmmədov M., Dərvişov N.H.

(111) və (100) oriyentasiyali yüksək omlu p-tip Si monokristallik lövhələrində elektrokimyəvi aşılama texnologiyasi ilə lyuminissensiya qabiliyyətli nanoməsaməli silisiumun alınma texnologiyası işlənmışdir. Bu nanoməsaməli silisiumun şüalanma və həyəcanlaşma spektrlərinin adı atmosfer şəraitində qocalma prosesi zamanı transformasiyası tədqiq edilmişdir. Göstərilmışdir ki, fotolyuminissensiyanın və həyəcanlaşma spektrlərinin maksimumları zaman keçdikcə qısa dalğalı oblasta sürüşür və bu zaman nanoməsaməli silisiumun qadağan olunmuş zonasının eni 1.95 eV-dan 2.3 eV-a qədər dəyişir.

 

Rüstəmov F.Ə.

Fotorefraktiv kristallarda holoqrafik qəfəslərin eynizamanlı yazılıb- oxunması zamanı optik keçidlərin ikisəviyyəli modeli təklif olunmuş və bunun əsasında dörddalğalı qarışmanın nəzəriyyəsi işlənmişdir. Stasionar və qeyristasionar hallar üçün bağlı dalğa tənlikləri alınmışdır.Stasionar halda bağlı dalğa tənlikləri dəqiq həll edilmiş və dalğaların intensivlikləri, qəfəsin amplitudu və fazası, diffraksiya effektivliyi və gücləndirmə əmsalı üçün ifadələr alınmışdır. Oxuyan şüanın həm qəfəsin parametrlərinə, həm də çıxış parametrlərinə təsiri geniş tədqiq olunmuşdur. Fotorefraktiv kristallarda eynizamanlı yazılıb- oxunma zamanı müsbət və mənfi əks-əlaqə məsələsi həm udulma olmadıqda, həm də udulma nəzərə alınmaqla analitik həll edilmişdir. Göstərilmışdir ki, müsbət əks- əlaqə zamanı oxuyan şüanın intensivliyinin artması ilə qəfəsin kristal daxilindəki qalınlığı azalır, amplitudu isə bu zaman kəskin artır və bu da qarşılıqlı təsirin güclənməsinə gətirir. Müsbət əks- əlaqə zamanı kristalın qalınlığının seçilməsi üçün optimallaşdırma məsələsi udulma nəzərə alınmaqla həll edilmişdir.

Rüstəmov F.Ə., Muradov S.R., Şərbətov V.X.

Qeyri-stasionar halda bağlı dalğa tənliklərinin həlli ədədi hesablama üçün alqoritm verən rekurrent münasibətlər şəklində alınmışdır. İkinci tərtib yaxınlaşmada difraksiya effektivliyi və qarşılıqlı təsirdə iştirak edən şüaların intensivlikləri üçün analitik ifadələr alınmış və bunun əsasında Bi12SiO20və LiNbO3kristallarında holoqrafik qəfəslərin formalaşma və oxunma dinamikası tədqiq edilmişdir.

Rüstəmov F.Ə., Muradov S.R., Şərbətov V.X.

Fotorefraktiv kristallarda ikiqat ikidalğali qarışma məsələsi optik keçidlərin iki səviyyəli modeli əsasında analitik həll edilmişdir. Qarşılıqlı təsirdə iştirak edən hər bir dörd dalğanın intensivlikləri və holoqrafik qəfəsin amplitudu üçün düsturlar alınmışdır. Qarşılıqlı təsirdə olan şüalar arasında enerji mübadilısinin həm qiymətinin, həm də istiqamətinin optik üsulla, məhz intensivliklər nisbətini və başlanğıc fazalar fərqini dəyişməklə, idarə olunmasının mümkünlüyü göstərilmışdir.

Rüstəmov F.Ə., Məmmədov M., Dərvişov N.H.

(111) oriyentasiyali yüksək omlu p-tip Si monokristallik lövhələrində elektrokimyəvi aşılama texnologiyasi ilə lyuminissensiya qabiliyyətli makroməsaməli silisiumun alınma texnologiyası işlənmışdir. Bu makroməsaməli silisiumun şüalanma və həyəcanlaşma spektrləri qocalma prosesi zamanı tədqiq edilmişdir. Göstərilmışdir ki, bu tip nümunələrin fotolyuminessensiya spektrləri zamana gorə daha stabildir və maksimumu ~1.9 eV-da yerləşir.

Abdinov Ə.Ş., Cəfərov M.Ə., Nəsirov E.F.

А2В6 tip nazik təbəqələrin sital, şüşə, kvars və aliminium altlıqlar üzərində çökdürülmə texnologiyası işlənmiş, onların elektrik və fotoelektrik xassələri tədqiq olunmuşdur. Çökdürülmənin texnoloji rejimindən və termik işləmədən asılı olaraq Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе və CdS1-хSeх nazik təbəqələrində fotokimyəvi reaksiya, fotoelektrik yaddaş və mənfi infraqırmızı fotokeçiricilik aşkar olunmuşdur. Enlizolaqlı Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе və CdS1-хSeх nazik təbəqələri yüksək fotohəssaslığa malikdir və cpektrin görünən və infraqırmızı oblastında şüalanma mənbələri və qəbulediciləri yaratmaq üçün perspektiv materiallardır.

Cəfərov M.Ə.

Al-CdS nazik təbəqələrinin sendviç strukturunda Al2O3 aralıq qatının olması hesabına keçiriciliyin dayanıqlı halı kimi çevirmə effekti müşahidə olunur. Müəyyən olunmuşdur ki, deşiklərin yüksək konsentrasiyasına (çökdürülmənin texnolojı şərtləri ilə idarə olunur) malik nanoölçülü p-tip СdS tərs qatının olması Аl-n-СdS baryerinə paralel tərs sürüşmüş p-n keçidinin yaranmasına gətitrib çıxarır.

Cəfərov M.Ə., Nəsirov E.F.

Sulu məhluldan kimyəvi çökdürmə ilə Cu2S-Cd1-хZnхS, Cu2Se-Cd1-хZnхSе, Cd1-хZnхS-CdS1-хSeх və Cd0.4Zn0.6S/CdSе0.5Тe0,5 heterostrukturları hazırlanmış, onların elektrik və fotoelektrik xassələri tədqiq olunmuşdur. Cd1-xZnxS, Cd1-xZnxSe və CdS1-хSeхüçqat birləşmələri onların yüksək optik udulma əmsalina malik olmasına görə günəş elementləri üçün perspektiv mateiallardır. Onlar təkibin və termik işləmə rejiminin dəyişməsi ilə idarə oluna bilən universal optik və elektrik xassələrinə malikdir.

Cəfərov M.Ə., Nəsirov E.F.

Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе və CdS1-хSeх nazik təbəqələrində негатрон hadisələri tədqiq olunmuşdur. Bu təbəqələrdə çökdürülmənin texnoloji rejimindən, anion və kation əvəzləməsindən, həmçinin atmosferlə qarşılıqlı təsirindən asılı olaraq müşahidə olunan mənfi diferensial müqavimət, mənfi fotokeçiricilik, mənfi diferensial fotokeçiricilik və mənfi fototutum effekti kimi qeyri-xətti xarakteristikalar vahid elektron-molekulyar mexanizmi ilə izah olunmuşdur. Mənfi fotokeçiricilik-nanokristallitlərin və şəffaf baryerlərarası ölçülərin funksiyasıdır. Mənfi diferensial fotokeçiricilik-nanoölçülü elektrik domenlərinin yaranması ilə əlaqədardır. Mənfi fototutum effekti-nanoklasterlərin yüklənmə halının dəyiçməsinin nəticəsidir.

Abdinov Ə.Ş., Rzayev R.M., Cəfərov M.Ə.

Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış A3B6 tip monokristallarda aşqar prosesləri, udulma sərhəddinin qalınlıqdan asılılığı və onların fotoelektrik xassələri araşdırılmışdır.

Cəfərov M.Ə.

In2Te3 və FeTe monokristallarında elektrik xassələri araşdırılmışdır. Yüksək elektrik sahələrində (InTe)1-x(PbTe)x monokristallarının voltamper xarakteristikası analiz olunmuş, In2Te3 (Fe), In2Te3 (Со) və In2Te3 (Cr) monokristallarında isə çevimə effekti müşahidə olunmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, In2Te3 monokristallarında (Fe, Co, Cr) metallarının konsentrasiyası və onların təbiətindən asılı olaraq çevirmənin termoelektron mexanizmi isti elektron mexanizmi ilə dəyişir.

Dərvişov N.H., Baqiyev V.Ə.

Sillenit və şeelit tipli kristallarda udulma və şüalanma spektrləri tədqiq edilmişdir. Ultrabənövşəyi və Rentgen diapazonlarında Sinxrotron şüalar tətbiq etməklə göstərilən kristalların elektron zona quruluşu öyrənilmişdir. Optik finksiyalar hesablanmış və analiz edilməklə elektron enerji spektrinin özəllikləri müəyyən edilmişdir.

Sillenit tipli kristallarda Bi12 XO20 ( X=Si, Ge,Ti) foto və termo-stimullaşdırılmış proseslər öyrənilmişdir, aşqar səviyələrin parametrləri müəyyən edilmişdir. Fotoelektrik yorulma (qocalma) hadisəsi aşkar edimiş və öyrənilmişdir. Fotoelektret hadisəsi və qeyri-xətti volt-amper xarakteristikası arasında əlaqə müəyyən edilmiş və bunların Me- Bi12XO20 кontaktında Şottki çəpəri ilə əlaqəsi olduğu göstərilmişdir.

A.A.Ağasiyev, Ç.Q.Axundov, M.Z.Məmmədov.

Stexiometrik tərkibi saxlanılan, strukturları müxtəlif dərəcəli nizamlı düzülüşə malik, metal-oksid nazik təbəqələri almaq üçün texnoloji rejimlər təyin edilmişdir. Fiziki-kimyəvi proseslərin nazik təbəqələrin formalaşmasındakı rolları öyrənilmişdir. Strukturların zona xüsusiyyətləri, fundamental udulma zolağının sərhəddində optik udulma təyin edilmiş, VAX-ın qeyri xəttiliyinin təbiəti və keçiriciliyin mexanizmi öyrənilmişdir.

Stexiometrik tərkibli, metal-oksid nazik təbəqələrini Ar və O2 mühitində almaq üçün sabit cərəyanlı maqnetron tozlanma üsulunun texnologiyası işlənilmişdir. Müxtəlif fazaların (Bi2O3, Bi12O20, SrTiO3 və Bi4TiO12) əmələ gəlmə mexanizmlərinin əsas rejimləri təyin edilmişdir. Təcrübi olaraq tozlanmanın fiziki-kimyəvi, daşınma və çökmə prosesləri tədqiq edilmişdir. Nazik təbəqələrin formalaşmasında bərpa proseslərinin rolu aydınlaşdırılmışdır.

Lebedeva N.N., Orbux V.İ.

Stronsium titanat, litium niobat, barium-stronsium niobatları və plumbum maqnoniobatın optik, elektrik, fotoelectrik, fotoelektret xassələri, fotokeçiricilərin seqnetoelektriklərin domen strukturuna və polyarlaşmasına təsiri tədqiq edilmişdir. Alınmış nəticələr əsasında bir neçə müəlliflik şəhadətnaməsi alınmışdır.

Lebedeva N.N., Orbux V.İ.

Xrom ilə aşqarlanmış qallium arsen yarımkeçirici elektrod əsasında infraqırmızı təsviri görünən təsvirə çevirən fotoionizasion çevirici və onun müxtəlif modifikasiyaları düzəldilmiş-dir: yarimkeçiricilərdə elektrik, fotoelektrik və struktur qeyribircinsliklərin dağıdıcı olmayan ekspres müşahidəsini aparan qurğu, qeyri- gümüşlü təsvir almağa imkan verən qurğu, səthin plazma tablanmasını aparmağa imkan verən qurğu, bircins ultrabənövşəyi şüalanma verən qurğu.

Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti