FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

FPİ HAQQINDA

XƏBƏRLƏR

STRUKTUR

TƏDQİQAT İSTİQAMƏTLƏR

KONFRANSLAR

MARAQLI MƏLUMATLAR

ƏLAQƏ


20/07/2020

20.07.2020 tarixində Fizika Problemləri ETİ-nin növbəti onlayn seminarı keçirilmişdir.

 

Seminarda “Kondensə olunmuş hal fizikası” şöbəsinin aparıcı elmi işçisi Əfəndiyeva İzzət Məmməd qızı “Silisid/silisium kontaktı (PtSi/n-Si, Pd2Si/n-Si) əsasında Şottki diodları” mövzusunda məruzə ilə çıxış etmişdir. Məruzəçi göstərmişdir ki, digər diod strukturları ilə müqayisədə bir sıra üstünlükləri ilə səciyyələnən Şottki diodları yarımkeçirici cihazlar arasında önəmli yer tutur. Yüksək çeviricilik, asan texnologiya, kontakta gətirilmiş materialların geniş seçimi, kiçik ölçülərdə hazırlanma imkanı bu kontakt strukturlarını müxtəlif funksiyalı cihazların, inteqral sxemlərin tərkibində istifadə olunmasını aktual edir.  Son illər ərzində məruzəçinin tədqiq etdiyi kiçik ölçülü (10-6sm2) yüksək baryer yaratması ilə maraq kəsb edən silisid/ silisium kontaktı (PtSi/n-Si, Pd2Si/n-Si) əsasında Şottki diodlarının elektrofiziki xassələri  I-V, C-V  və G-V xarakteristikaları geniş temperatur, tezlik, işıq intensivliyinin geniş intervalda dəyişməsi şəraitində tədqiq edilmişdir. Nəticələrin təhlilində metal və yarımkeçiricinin kristallik quruluşu, səth hallarının və kontaktda dielektrik aralığın mövcudluğu nəzərə alınmışdır.
Tədqiqat  silisid/ silisium kontaktı (PtSi/n-Si, Pd2Si/n-Si) əsasında Şottki diodlarının çoxfunksiyalı cihazların  yaradılmasının mümkünlüyünü aşkar edir.









Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti