FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

НОВОСТИ

РУКОВОДСТВО

ОТДЕЛЫ

СОТРУДНИКИ

ПОЧЁТНЫЕ УЧЕНЫЕ

ИССЛЕДОВАНИЯ

КОНФЕРЕНЦИИ

ЖУРНАЛЫ

НАУЧНЫЕ ФОНДЫ

ФОТОАЛЬБОМ


ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

КРИСТАЛЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК

ОБЛАСТЬ ИССЛЕДОВАНИЙ

  • Фото- и электролюминесценция нанопористого кремния полученного электрохимическим и химическим травлением
  • Электронные свойства, негатронный эффект и гетеропереходы для солнечных элементов тонких пленок твердых растворов А2В6
  • Исследование эмиссионных и электрофизических параметров контактов метал – полупроводник с аморфным и монокристаллическим металлическим слоем
  • Исследование влияния газоразрядной плазмы на морфологию наноструктур на поверхности полупроводников


ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

Рустамов Ф.А., Мамедов М.З., Дарвишов Н.Х., Боброва Е.Ю., Гафарова Х. О.

Исследовано влияние уксусной кислоты на динамику реакции и морфологию нанопористого кремния полученных в режиме недостатка окислителя методом химического травления. Определен оптимальный состав раствора HF/HNO3/CH3COOH. Получены латерально однородные пленки нанопористого кремния различной толщины обладающие видимой фотолюминесценцией.


Рустамов Ф.А., Мамедов М.З., Дарвишов Н.Х.

Разработана технология получения люминесцирующего нанопористого кремния в высокоомных монокристаллических пластинках р типа с ориентацией (111) и (100). Исследовано изменение спектров люминесценции и возбуждения полученных пленок нанопористого кремния при выдержке при обычных лабораторных условиях. Показано, что со временем и максимум фотолюминесценции и максимум спектра возбуждения смещаются в коротковолновую область и при этом ширина запрещенной зоны изменяется от 1.95 эВ до 2.3 эВ.



Рустамов Ф.А.

Предложена двухуровневая модель оптических переходов для одновременной записи- считывания голографических решеток в фоторефрактивных кристаллах и на ее основе разработана теория четырехволнового смешения. Получены связанные уравнения как для стационарного, так и для нестационарного случая. Для стационарного режима получено точное решение связанных уравнений и получены выражения для интенсивностей взаимодействующих волн, амплитуды и фазы голографической решетки, дифракционной эффективности и коэффициента усиления. Исследовано влияние считывающего излучения на параметры решетки и выходные параметры. При одновременной записи-считывании в фоторефрактивных кристаллах аналитически решена задача положительной и отрицательной обратной связи как без учета, так и с учетом поглощения. Показано, что при положительной обратной связи с увеличением интенсивности считывающего излучения уменьшается толщина голографической решетки внутри кристалла, а амплитуда ее при этом резко возрастает, что приводит к усилению взаимодействия. В случае положительной обратной связи решена, с учетом поглощения, оптимизационная задача для выбора толщины кристалла.


Рустамов Ф.А., Мурадов С.Р., Шарбатов В.Х.

Получены рекуррентные соотношения дающие алгоритм для численного решения связанных волновых уравнений в нестационарном случае. В втором порядке приближения получены аналитические выражения для дифракционной эффективности и интенсивности взаимодействующих волн и на этой основе исследована динамика образования и считывания голографических решеток в кристаллах Bi12SiO20 и  LiNbO3 .


Рустамов Ф.А., Мурадов С.Р., Шарбатов В.Х.

Аналитически решена задача двойного двухволнового смешения в фоторефрактивных кристаллах на основе предложенной двухуровневой модели оптических переходов. Получены формулы для интенсивностей всех четырех взаимодействующих волн и амплитуды голографической решетки. Показана возможность управления как значением, так и направлением энергообмена между взаимодействующими лучами чисто оптическим способом, а именно изменением отношения интенсивностей и начальной разности фаз между интерференционными картинами.


Рустамов Ф.А., Мамедов М.З., Дарвишов Н.Х.

Разработана технология получения люминесцирующего макропористого кремния в высокоомном p-тип кремнии ориентации (111) электрохимическим травлением. Исследованы спектры излучения и возбуждения полученных пленок пористого Si в процессе старения. Показано, что спектры фотолюминесценции полученных пленок мало подвержены временным изменениям и ее максимум находится в ~1.9 эВ.


Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Насиров Э.Ф.

Разработана технология осаждения тонких пленок А2В6 на ситалловых, стеклянных, кварцевых и алюминиевых основаниях, и исследованы их фотоэлектрические и электронные свойства. Наблюдались фотохимическая реакция, фотоэлектрическая память и отрицательная инфракрасная фотопроводимость в тонких пленках Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе и CdS1-хSeх, в зависимости от технологического режима осаждения и способа термообработки. Широкополосные пленки Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе и CdS1-хSeх обладают высокой фоточувствительностью и являются перспективными материалами для создания источников и приемников радиации в видимых и инфракрасных спектральных областях.


Джафаров М.А.

В сэндвич структуре пленок Al-CdS при присутствии промежуточного слоя Al2O3 наблюдается эффект переключение как устойчивые условия проводимости. Установлено, что присутствие наноразмерного обратного слоя р-типа СdS с высокой концентрацией дырок, которыми управляют технологическими условиями осаждение пленок, вызывает формирование обратно-смещенного p-n перехода, параллельно барьеру Аl-n-СdS.


Джафаров М.А., Насиров Э.Ф.

Приготовлены Cu2S-Cd1-xZnxS, Cu2Se-Cd1-xZnxSe, Cd1-xZnxS-CdS1-xSex, и Cd0.4Zn0.6S/CdSе0.5Тe0,5 гетероструктуры химическим осаждением из водного раствора и исследованы их электрические и фотоэлектрические свойства. Тройные соединения как Cd1-xZnxS, Cd1-xZnxSe и CdS1-хSeх, перспективные материалы для солнечных элементов из-за их высокого оптического коэффициента поглощения. Они обладают универсальные оптические и электрические свойства, которыми можно управлять изменением их состава и режима термообработки.


Джафаров М.А., Насиров Э.Ф.

Были исследованы негатроннные явление в тонких пленках Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе и CdS1-хSeх. Нелинейные вольт-амперные характеристики, такие как отрицательное дифференциальное сопротивление, отрицательная фотопроводимость, отрицательная дифференциальная фотопроводимость и отрицательный фотоемкостный эффект, обнаруженных в тонких пленкахCd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе и CdS1-хSeх в зависимости от технологического способа осаждения, анионного и катионного замещения и при условии взаимодействия с атмосферой, объяснены однородным электронно-молекулярным механизмом. Отрицательная фотопроводимость - функция размеров межпрозрачных барьеров и нанокристаллитов. Отрицательная дифференциальная фотопроводимость вызвана с формированием наноразмерных электрических областей, и отрицательный фотоемкостный эффект - с изменением заряженного условия нанокластеров.


Абдинов А.Ш., Рзаев Р.М., Джафаров М.А.

Были исследованы фотоэлектрические свойства, процессы примеси и зависимость края поглощения от толщины в монокристаллах A3B6 легированных редкоземельными элементами.


Джафаров М.А.

Были исследованы электрические свойства монокристаллов In2Te3 и FeTe. Были проанализированы вольт-амперные характеристики монокристаллов (InTe)1-x(PbTe)x под высокими электрическими полями. Наблюдались эффект переключения в монокристаллах In2Te3 (Fe), In2Te3 (Со) и In2Te3 (Cr). Установлено, что, наблюдается изменения термоэлектронный механизма переключения на горячих электронах из-за природы и концентрации металлов (Fe, Co, Cr) в монокристаллах In2Te3.


Дарвишов Н.Г., Багиев В.Е.

Исследованы спектры поглощения и излучения кристаллов типа силленита и шеелита. Изучена зонная структура с использованием синхротронного излучения в ультрафиолетовом и рентгеновском диапазоне. Рассчитан и проведен анализ оптических функций, позволяющий выявить особенности электронного энергетического спектра указанных соединений.

В кристаллах типа силленита Bi12 XO20 (X=Si, Ge,Ti) были исследованы термо-и фотостимулированные процессы и определены параметры примесных центров. Обнаружено и исследовано явление фотоэлектрической утомляемости. Установлена связь между фотоэлектретным состоянием (ФЭС) и нелинейными ВАХ. Показано что, имеет место барьер Шоттки на контакте Me- Bi12XO20.


А.А.Агасиев,Ч.Г.Ахундов, М.З.Мамедов.

Установлены технологические режимы получения пленок металлооксидов стехиометрического состава с различной степенью структурной упорядоченности, определены роли физико-химических процессов в формировании слоя, комплексно изучены оптические и фотоэлектрические свойства слоев и структур на их основе в широком диапазоне энергий фотонов, температур и электрических полей, с целью выявления особенностей их зонной структуры, определяющих оптическое поглощение на краю в фундаментальной полосе поглощения, а также выявления природа нелинейности ВАХ и механизма проводимости.

Разработана технология получения пленок металлооксидов стехиометрического состова магнетронным распылением на постоянном токе в среде аргона с кислородом. Определены основные режимы механизмов образования различных фаз (Bi2O3, Bi12O20, SrTiO3 и Bi4TiO12 ). Экспериментально исследованы физико-химические процессы распыления, процессы переноса и осаждения. Выяснена роль восстановительного  процесса в формировании слоя.


Лебедева Н.Н., Орбух В.И.

В титанате стронция, ниобате лития, барий-стронциевых ниобатах, магнониобате свинца, сульфо-иодиде сурьмы исследовались оптические, электрические, фотоэлектрические, фотоэлектретные явления, влияние фотоносителей на доменную структуру и поляризацию сегнетоэлектриков. На основании полученных результатов были оформлены несколько авторских свидетельств.


Лебедева Н.Н., Орбух В.И.

Был создан фотоионизационный преобразователь ИК- изображения в видимое на основе полуизолирующего  арсенида галлия, легированного хромом, и его модификации:  устройство для неразрушающего экспресс-контроля электрических, фотоэлектрических и структурных неоднородностей в полупроводниках,  устройство для получения несеребряных изображений, устройство для плазменного отжига поверхности,  устройство для получения пространственно однородного УФ- излучения.

Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti