FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

ГЛАВНАЯ

РУКОВОДСТВО

ОТДЕЛЫ

СОТРУДНИКИ

НОВОСТИ

ИССЛЕДОВАНИЯ

КОНФЕРЕНЦИИ

ЖУРНАЛЫ

НАУЧНЫЕ ФОНДЫ

ФОТОАЛЬБОМ


Маариф А. Джафаров

 

Доктор физико-математических наук,

ведущий научный сотрудник

Института Физических Проблем БГУ

Раб. тел.:+(994)124390693

e-mail: maarif.jafarov@bsu.az

 

 

КОРОТКО О СЕБЕ

1960 Лачин, Азербайджан

ОБРАЗОВАНИЕ И УЧЕНЫЕ СТЕПЕНИ

  • В1982-ом году закончил  физический факультет Бакинского Государственного Университета,
  • К.ф.м.н. 1989, Фотоэлектрические свойства пленок Cd1-хZnx S, осажденных из раствора  и монокристаллов СdS:Cu n и p типа
  • Д.ф.м.н, 2007 г.: Электронные процессы в монокристаллах некоторых соединений типа A2B6 и  химически осажденных пленках их твердых растворов.

 

ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

  • 1982-1991г.г.  Научно- Исследовательский Институт Прикладной Физики –инженер-научный сотрудник
  • 1991-1993 старший научный сотрудник  Института Фотоэлектроники Национальной Академии Наук
  • 1994-2005 г.: заведующий НИЛ Твердотельной электроники
  • с 2005 г. ведущий научный сотрудник Института Физических Проблем БГУ

140- опубликованных работ, из них до 60 статьи, 6 патент,

Под руководительством защитился 2 кандидатских работ

НАУЧНЫЕ ИНТЕРЕСЫ

  • Твердотельная Электроника и микроэлектроника, Наноэлектроника, Негатроника, Технология наноразмерных пленок

 

УЧАСТИЕ В МЕЖДУНАРОДНЫХ КОНФЕРЕНЦИЯХ, СИМПОЗИУМАХ И СЕМИНАРАХ

  • Основные моменты докладывались на V-Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Калуга, 1990), IV Всесоюзном совещании по химии и технологии халькогенов и халькогенидов (Караганда, 1986, 1990), Всесоюзной научной конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» (Ашхабад, 1991), «Всесоюзной научной конференции по глубоким уровням в полупроводниках» (Ташкент, 1991), на научных конференциях «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе» (ВНТК, Баку, 1991), “Physics of multicomponent semiconductors” (Baku, 1992) и на международных научных конференциях “Solid films and surfaces” (Taiwan, 1994), “Physical problems in material science of semiconductors” (Chernivitsi, 1997, 1999) и “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах” (Ульяновск 1997), на первой Республиканской конференции «Актуальные проблемы физики» (Баку, 1998), Second International symposium on Mathematical computational applications (Baku, 1999), «Актуальные проблемы твердотельной  электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 2000, 2002), XVI-XVIII международных научно-технических конференциях по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000, 2002, 2004, 2006) на международной научной конференции «Inorganic Materials» (Santa Barbara, USA, 2000, 2002), на международных научных конференциях «Techniсal and Physical Problems in Power Engineering» (Baku, 2002, Табриз 2004),
  • Jafarov M.A., Меchtiev N.М. Infrared quenching of photoconductivity in Cd1-хZnхS films deposited from the solution / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivitsi: 1997, p.327.
  • Jafarov M.A. Noise characteristics of CdZnS films deposited from the solution. / Physical problems in material science of semiconductors, Chernivitsi: 1997, p.278.
  • Джафаров М.А. Рекомбинационные процессы на глубоких центрах в пленках Cd1-хZnхS / Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск: 1997. с.109-110.
  • Джафаров М.А. Негатронные явления в пленках Cd1-хZnхS, осажденных из раствора. / Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”, Ульяновск: 1997.с.111-112.
  • Jafarov M.A., Mamedov H.M. Study of photoluminescence spectra in p-type CdS. / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.141.
  • Jafarov M.A., Mamedov H.M. Photoelectromagnetic phenomena in CdZnS films deposited from the solutions / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.151
  • Jafarov M.A, Mamedov H.M. Characterics of CdS:Cu photosensitive films deposited from the solutions. / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.284.
  • Zamanova E.N., Jafarov M.A., Bagirova S.М. Current transport in MOS structures on the base of CdS / Second International symposium on Mathematical computational applications. Baku: / 1999, p.88.
  • Джафаров М.А.  Пленочный р-п переход на базе CdS. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники / Международная научно-техническая конференция, Таганрог: 2000, с.173-175.
  • Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Мамедов Г.М. МДП-структуры на основе пленок CdS1-xSex/ Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники.  Труды 8-ой Международной конференции, Таганрог: 2002, с.186.
  • Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Физические свойства пленок Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе и CdS1-хSeх, осажденных из раствора / III Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», СПб.: 2002, с.107.
  • Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Mamedov H.M, Nasirov E.F. Special features of electric and photoelectric properties of             Cd1-xZnxS/n-CdS1-xSex Heterojunctions / Thin film and nano-structured materials for photovoltaic E-MRS Spring Meeting, Strasbourg: 2003.
  • Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Преобразователь оптического изображения на основе гетероперехода  Сd1-xZnxS-CdТе1-xSex / XVIII Международная конференция   по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва 2004, c  202-203.
  • Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Гетеропереходы на основе пленок а2в2с6, осажденных из раствора / IV Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» Санкт-Петербург, 2004.
  • Jafarov M.A., Nasirov E.F. Obtaining of А2В2C6 type thin films by method of chemical deposition / Light in nanosize solide 1 International Scientific Seminar, Baku: 2004, p.35.
  • Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Тахмазова А.И. Фотоэлектрические свойства пленок типа А2В2С6, осажденных из раствора. /VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск , 2004
  • Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Фотолюминесцентные свойства пленок А2В2C6, осажденных из раствора. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск , 2004.
  • Abdinov A.Sh., Kazimzade A.H., Jafarov M.A., Nasirov E.F. features of electric and photoelectric properties of А2В6 thin films deposited from a solution in micro and nanoelectronics. / Thin film and nano-structured materials for photovoltaic E-MRS Spring Meeting, Strasbourg: 2005, F53/62.
  • Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Механизм образования донорно-акцепторных пар в наноразмерных пленках CdS1-xSexи CdSе1-xТex. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск, 2006.
  • Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Некоторые физические свойства пленок Cd1-xZnxS, полученных химическим способом. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск, 2006.
  • M.A.Jafarov, E.F.Nasirov, S.A.Mamedova, S.А.Jahangirova. Negatron Phenomenon in А2В2(6)С6 films Deposited from solution. Thin film and nanostructured materials for photovoltaics. E-MRS Spring Meeting Strasbourg, 2006.
  • Джафаров М.А., Мамедова С.А., Насиров Э.Ф., Аномальная фотопроводимость в наноразмерных пленках твердых растворов CdSe1-xTex, IX Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.72, Ульяновск, 2007.
  • Джафаров М.А., Мамедова С.А., Насиров Э.Ф., Получение и физические свойства барьеров Шоттки на основе наноразмерных пленок CdSe1-xTex, IX Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.59, Ульяновск, 2007.
  • Джафаров М.А., Мехтиев Р.Ф., Насиров Э.Ф., Мамедова С.А., Багиров Р.М. Продольные фотоприемники на основе CdSе1-хТeх , осажденных из раствора. «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ» ТРУДЫ пятой междунарордной научно-технической конференции, стр. 320-321., БАКУ, 2008.
  • Багиров Р.М., Насиров Э.Ф., Багирова О.Ш., Турабова Г.А. Исследование взаимодействия ионов железа с меланосомами. «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ» ТРУДЫ пятой междунарордной научно-технической конференции, стр. 174-176, БАКУ, 2008.
  • Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мехтиев Р.Ф. Кинетика роста и термическая стабильность нанопленок сульфидов кадмия и цинка. X Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.61, Ульяновск, 2008.
  • Джафаров М.А., Мамедова С.А., Джахангирова С.А., Насиров Э.Ф. Особенности наноразмерных пленок CdSе1-хТeх, полученных химическим и электрохимическим методами. X Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.209, Ульяновск, 2008.

СПИСОК НЕКОТОРЫХ НАУЧНЫХ РАБОТ

  • Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Функциональные возможности пленок CdSe1-xТеx, осажденных из водного раствора, в ИК области спектра // “Прикладная физика”, Москва, 2008. В.3, с.84-89.
  • Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедова С.А. Рекомбинационные процессы в пленках CdSe1-xTex, осажденных из раствора химическим способом. «Неорганические материалы»  2007. В.3,. c.1-3
  • Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F., Mammadova S.A. Solar Cells on the base of Cd1-xZnxS/CdSе1-xТex heterojunctions. Technical and Physical Problems in Power Enginering. 2006, p.1072-1074.
  • Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедова С.А «Релаксация проводимости пленок CdSe1-xTex, осажденных из раствора». АМЕА Хябярляри-
  • Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Отрицательная инфракрасная фотопроводимость в пленках CdS1-xSex, осажденных из раствора // “Прикладная физика”. Москва, 2004. В.3, с.94-97.
  • Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Функциональные возможности пленок Cd1-xZnxSe, осажденных из водного раствора, в ИК области спектра // “Прикладная физика”. Москва, 2004. В.4, с.84-89.
  • Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F. Photoelectric properties of films а2в2с6, deposited from solution / Proc. SPIE, 2004, v.5834, p.254-259.
  • Zamanova E.N., Jafarov M.A. Photoconductivity Cd1-xZnxS films, deposited from a water solution. / Second International Conf. on Technical and Physical Problems in Power Engineering. Tabriz 2004, p.408-410.
  • Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф., Рагимова Н.А. Получение и физические свойства изотипных гетеропереходов типа n-Cd1-xZnxS /n-CdS1-xSex / First International Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Baku: 2002, p.322-324.
  • Jafarov M.A.  Photoreceivers of JR radiation on the basis of CdSe:Cu films deposited from solutions / Proc. SPIE. V.4340, p.121-124.
  • Джафаров М.А. Продольные фотоприемники на основе пленок CdSe:Cu, осажденных из раствора // Прикладная физика. Москва, 2000, в.6, с.68-73.
  • Абдинов А.Ш., Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Бабаева Р.Ф., Мамедов Г.М. Фотопроводимость осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe  в ИК области // Прикладная физика Москва, 2000, В.6., с.56-62.
  • Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М, Мехтиев Н.М.,Насиров Э.Ф. Фотоприемники  ИК излучения на основе пленок CdS1-x Sex, осажденных из раствора // Прикладная физика, Москва, 2000, В.6, с.63-67.
  • Джафаров М.А. Отрицательная фотопроводимость в пленках Cd1-xZnxS, полученных осаждением из водного раствора // Неорг. Мат., 1998, т.34, № 9, с.1034-1036.
  • Джафаров М.А. Спектральная память в пленках Cd1-xZnxS, осажденных из раствора. // Неорганические Материалы, 1999, т.35, в.3 с.300-302.
  • Джафаров М.А. Фотоэлектрические свойства пленок Cd1-xZnxS, осажденных из водного раствора // Неорганические Материалы, 1999, т.35, в.11. с.1307-1312.
  • Jafarov M.A., Mamedov H.M. Recombination processes in Cd1-xZnxS, films deposited from solution // Journal of Physics. Condensed Matter, 124CM/AbC. 1999, р.3245-3248.
  • Jafarov M.A. About mechanism of conductivity in thin film diode structures based on the basis of Cd1-xZnxS // Journal of Physics. Condensed. Matter. 10СМ\АвС, 1999, р. 984-986.
  • Zamanova E.N., Jafarov M.A., Mamedov H.M. Effect of heat treatment on electroрhysical and photoelectrical properties of the p-type CdS polikristals // Semiconductor science and Technology, 12sst/abc. 1999, p.1234-1239.
  • .А.Джафаров, Эффект переключения в монокристаллах (In2Te3) и (FeTe). Неорганические материалы. 1996, т.32, № 1, с.34-35.
  • А.Ш.Абдинов, M.А.Джафаров, Р.М.Рзаев, Влияние легирования Dy на ФЭ свойства GaSe. Неорганические материалы, 1999, т.35, в.4, с.410-412
  • А.Ш.Абдинов, M.А.Джафаров, Р.М.Рзаев, Собственные дефекты и примеси диспрозия в GaSe. Неорганические материалы, т.34, № 3, с.271-273.
  • Заманова Э.Н, Джафаров М.А. Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS:Cu. //ФТП, т.29, в.8, 1995, с.1411-1413.
  • Заманова Э.Н., Джафаров М.А. Оптический фильтр ИК диапазона на основе монокристалла CdS, легированного медью. // Приборы и техника эксперимента, 1995, № 1, с.129-131.
  • Гусейнов Э.К., Джафаров М.А., Насибов И.А., Гасанов И.И., Мамедов А.К. Characteristics of CdS:Cu photosensitive films obtained by magnetron sputtering method. // Turkish journal of Physics, 1997, V.21, 2, p.206-211.
  • Гусейнов Э.К., Джафаров М.А., Насибов И.А. Noise characteristics of Cd1-хZnхS films deposited from the solution. // Turkish journal of Physics. 1997, V.21, 12, p.1255-1259.

 

Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti