FİZİKA PROBLEMLƏRİ İNSTİTUTU

НОВОСТИ

РУКОВОДСТВО

ОТДЕЛЫ

СОТРУДНИКИ

ПОЧЁТНЫЕ УЧЕНЫЕ

ИССЛЕДОВАНИЯ

КОНФЕРЕНЦИИ

ЖУРНАЛЫ

НАУЧНЫЕ ФОНДЫ

ФОТОАЛЬБОМ


Магамед Г. Гасанов

Отдел Физики Полупроводников, научный сотрудник

Рабочий телефон: +(994) 12 510 34 32

e-mail: : mamed.hasanov@bsu.az

 

КОРОТКО О СЕБЕ

Родился в 1951 г., Армянская ССР, Красносельский р-он, село Тохлуджа


ОБРАЗОВАНИЕИУЧЕНЫЕСТЕПЕНИ

1973, Азерб. Гос. Университет


ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

  • 1973-1976. преподаватель, Лачинский р-он, ТУ №62,
  • 1976-1989, Научная часть, БГУ
  • 1989- 2005, научный сотрудник, НИЛ «Аморфные пленка», БГУ
  • 2005- научный сотрудник, отдел физики полупроводников, Институт физических проблем. БГУ

НАУЧНЫЕ ИНТЕРЕСЫ

Физика полупроводников, Контакт металла с полупроводником


УЧАСТИЕ В МЕЖДУНАРОДНЫХ КОНФЕРЕНЦИЯХ, СИМПОЗИУМАХ И СЕМИНАРАХ

  • 2005, июнь, Баку, Азербайджан, 8-ой Международный Конгресс, «Энергия, Экология, Экономика».
  • 2005, 7-9 июнь, Баку, Азербайджан, Международная Научная Конференция, посвященная 100-летию акад. Г.Алиева.
  • 2008, июнь, Баку, Азербайджан, 5-ая Международная Научно-Техническая Конференция «Актуальные проблемы физики».


СПИСОК НЕКОТОРЫХ НАУЧНЫХ РАБОТ

  • М.Г.Гасанов, Ш.Г.Аскеров, М.Н.Агаев, В.А.Оруджов, Н.А.Гусейнов. Зависимость эффективности кремниевых солнечных элементов от высоты барьера P-N перехода. Azərbaycan Milli Еlmlər Akademiyasi,“Energetikanın problemləri” Bakı 2004. №1. səh.71-74
  • М.Г.Гасанов, Ш.Г.Аскеров, Н.А.Гусейнов, Ш. Асланов, М.Н.Агаев. Определение основных араметров кремниевых фотопробразователей Bakı Universitetinin xəbərləri № 2, 2005,səh.151-154
  • M.N. Qasanov, N.A. Quseynov, Sh.Q. Askerov, Sh.S. Aslanov, M.N. Agaev. Technology of manufacturing the reliable silicon photo converters with long operation time Semiconductor phusiks Quantum Electroniks Optoelecktroniks,2005,V.8, № 3, P.85-87,Almaniya
  • М.Г.Гасанов, Н.А.Гусейнов, Ш.Г.Аскеров, М.Н.Агаев. Влияние геаметреи контактной сетки на фотоенергетические параметры кремниевых солнечных элементов Bakı Universitetinin xəbərləri № 4, 2006,səh.156-160
  • M.N.Həsənov, İ.M.Əfəndiyeva, Ş.Q.Əsgərov, L.K.Abdullayeva, M.N.Ağayev. Al0,8Ni/n Si Diodları ayrılma sərhəddinin elektron xassələri AMEA Fizika cild 13, 2007, səh.62-64.

 

Bookmark and Share
© Bakı Dövlət Universiteti